Главная Поиск Карта сайта Версия для печати Версия для слабовидящих
Поиск по сайту
Авторизация
Зачем нужна регистрация?
Логин:
Пароль:
Регистрация
Забыли свой пароль?
Для сотрудников ОИПИ
Типовые документы 

просим принять участие в опросезаполнить анкету

Официальный интернет-портал Президента Республики Беларусь

Национальная академия наук Беларуси

Сеть BASNET 

Грид-сеть высокопроизводительных вычислительных ресурсов Национальной академии наук Беларуси   

Портал рейтинговой оценки качества оказания услуг организациями Республики Беларусь   

БИСРС (Белорусская интегрированная сервисно-расчетная система и биометрические документы)   

Программные средства классификации дефектов топологии, обнаруживаемых в результате автоматического контроля топологических слоев полупроводниковых пластин


Программные средства классификации дефектов топологии, обнаруживаемых в результате автоматического контроля топологических слоев полупроводниковых пластин

Краткое описание


Программные средства предназначены для контроля технологического процесса производства интегральных микросхем.



В Республике Беларусь УП «КБТЭМ-ОМО» ГНПО ТМ «Планар» выпускает целый ряд автоматических контрольных и измерительных комплексов, используемых как при разработке и исследованиях новых технологий и приборов в микроэлектронике, так и в серийном производстве. Результатом работы такого комплекса является набор локализованных дефектов. Необходимость в определении вида дефекта для последующего анализа и настройки техпроцесса определяет актуальность разработки программных средств классификации дефектов (ПСКД).



ПСКД ориентированы на совместную работу с установками автоматического контроля полупроводниковых пластин методом сравнения соседних изображений (die-to-die или cell-to–cell) на стадии формирования топологического рисунка в технологических слоях (фоторезист, металл, поликремний, нитрид, окисел и кремний). Технические характеристики:



  • Размер минимального обнаруживаемого дефекта – 0,25 или 0,5 мкм.

  • Производительность контроля при пороге 0,25мкм – 10 мм²/с.

  • Производительность контроля при пороге 0,5мкм – 20 мм²/с.

  • Диаметр контролируемых пластин – 100 или 150 мм.

  • Дискретность перемещения координатного стола – 5 нм.

Подробное описание Загрузить